Тема об памяти - оперативной, чипах памяти, все что касается этого - новинки, разработки, теория, практика...
*
Toshiba снижает энергопотребление MRAM-памяти
Японская компания Toshiba выпустила прототип памяти STT-MRAM, которая работает на базе передачи магнитного момента электронов.
Сообщается, что память обеспечивает рекордно низкое энергопотребление. По сравнению с более ранними чипами STT-MRAM энергопотребление уменьшено на 90%.
Эмулирование процессора с интегрированным новым элементом памяти в качестве кэша показало, что стандартный мобильный чип будет потре6лять энергии на две трети меньше. Первыми MRAM должны получить смартфоны и планшеты, как альтернативу статической оперативной памяти SRAM.
Оверклокер Кристиан Ней (Christian Ney) из Швейцарии установил новый рекорд разгона памяти, получив эффективные DDR 3900.6 МГц при реальном значении частоты 1950.3 МГц.
Рекорд установлен при помощи памяти G.Skill F3-2666C11- 4GTXD 4 Гбайт DDR3-2666 МГц, процессора AMD А8-3870К APU, материнской платы GIGABYTE A75-UD4H и стакана для жидкого азота от Kingpin Cooling.
Среди дюжины модулей памяти был выбран самый производительный. При частоте 1950.3 МГц тайминги составили 14-14-14-36. Напряжение питания DRAM не сообщается.
