Следующее поколение Tegra под кодовым именем Wayne выйдет в текущем году. Задержки до 2013 года не ожидается, и во второй половине 2012 года 28-нм четырехъядерный процессор на новом ядре А15 увидит свет. Но телефоны на нем выйдут не раньше январского CES.

Память G.Skill Trident X

G.Skill выпускает новую линейку памяти для экстремального разгона Trident X.

Выход новинок приурочен специально к появлению процессоров Ivy Bridge. На фото хорошо видно, что модули Trident X получили черную печатную плату с довольно высоким черным радиатором, на который может быть установлен дополнительный красный радиатор. При этом между ними возникает отверстие для тепловых трубок. Данная память предназначена для работы в двухканальной конфигурации, а профили ХМР позволяют работать на 2400 МГц (реальная частота 1200 МГц) с таймингами 10-12-12-31Т и напряжением 1.65 В. Производитель также предложит другие варианты новинок по частоте и таймингам с объемами 4 Гбайт и 8 Гбайт.

NVIDIA Tegra 4- пять ядер CORTEX-A15

NVIDIA Tegra 3 стал первым четырехъядерным процессором для смартфонов и планшетов.

Или даже пятиядерным, учитывая конфигурацию 4+1. Чип располагает пятью ядрами ARM Cortex-A9, причем пятое получило сниженную до 500 МГц частоту. Если смартфон находится в режиме ожидания или выполняет простые задачи, то вполне хватает медленного ядра, а остальные подключаются только по мере необходимости. Новый Tegra 4 получит похожую архитектуру, но на ядре ARM Cortex-A15. Сообщается, что модель Tegra 4 Т40 с частотой 1.8 ГГц выйдет в первом квартале 2013 года. Далее появится Т43 на 2 ГГц. а также АР40 на 1.2-1.8 ГГц. Tegra 4 получил кодовое имя Wayne. И хотя NVIDIA не собирается значительно повышать быстродействие графики, чип получит такой функционал, как CUDA и OpenCL, более свойственный для настольных компьютеров. Также упоминается модель SP3X. но на старом ядре Cortex-A9. Заявлена частота 1.2-2.0 ГГц и интегрированная поддержка LTE/4G.

Гарантия EVGA минимум три года

Всемирная гарантия теперь привязана к любому новому продукту EVGA, купленному после 1 июля 2011 года. Минимальный срок гарантии теперь составляет три года.

Доля процессоров АМD выросла

Доля Intel упала с 81% четвертого квартала прошлого года до 80.2% первого квартала текущего года. Соответственно, доля AMD выросла с 18.2% до 19.1%.

Intel не планирует в 2012 Celeron на Ivy Bridge

Согласно текущим планам, Intel не планирует выпускать Celeron на Ivy Bridge до конца года. Выход 22-нм новинок ожидается в первой половине 2013 года.

25 лет с начала производства флеш-памяти

На днях был установлен новый рекорд частоты для памяти DDR3. Его установил известный швейцарский оверклокер Кристиан Ней (Christian Ney).

Флеш-память, как типа NOR, так и NAND, была изобретена доктором Фуджио Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в Toshiba в 1980 году. На основе данной технологии компания выпустила с 1987 года одну из самых широких линеек накопителей на NAND на многослойных ячейках (MLC) и однослойных ячейках (SLC). Благодаря этой разработке пользователи теперь могут носить данные с собой на флешках. Стало доступно создание тонких и легких ноутбуков и других устройств. Конечно же, этого удалось достичь только в последнее время, когда соотношение себестоимости и емкости улучшилось. При этом рынок NAND растет экспоненциально - в 2011 году рост емкостей в гигабайтах был в восемь раз выше, чем у динамической памяти.

Энергонезависимая гибкая и прозрачная память

Исследователи из университета Хьюстона разработали прозрачную и гибкую компьютерную память на основе оксида кремния, выступающего активным компонентом.

Это позволит в скором времени производить гибкие тачскрины, прозрачные чипы, гибкие батареи и другие компоненты для мобильных устройств. За счет мощного заряда, пропущенного через привычный оксид кремния, который выступает в качестве изолятора в электронике, формируются каналы чистого кремния с размерами 5 нм. Первоначальное напряжение отсоединяет атомы кислорода от оксида, а в дальнейшем с помощью слабых разрядов можно периодически разрывать и соединять цепь, что обеспечивает функционирование в качестве энергонезависимой памяти. Еще более слабый сигнал может использоваться для считывания текущего состояния без изменения состояния. Как и в процессорах Intel Ivy Bridge с трехмерным стеком из транзисторов, исследователи намерены разработать чип прозрачной памяти в виде 3D-конфигурации для подсоединения к гибкому субстрату.

***