К | 4 | B | ХХ | ХХ | Х | Х | Х | – | Х | Х | ХХ |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
1. – Память SAMSUNG – Memory (K)
2. – DRAM - (4)
3. – тип DRAM
4 – Плотность - Density 1G – 1Gb 2G – 2Gb 4G – 4Gb
5. – Битовая организация - Bit Organization 08 – x8 16 – x16
6. - # of Internal Banks 4 – 8 Banks 5 – 16 Banks |
8. Ревизия – (Поколение – Generation) M – 1st Gen. A – 2nd Gen. В – 3rd Gen. С – 4th Gen. D – 5th Gen. E – 6th Gen. F – 7th Gen. G – 8th Gen. H – 9th Gen.
9 – Корпусировка – Package Z – FBGA (без свинца) H – FBGA (без свинца и галогенов) J – FBGA (без свинца, DDP) M – FBGA (без свинца и галогенов, DDP) 10. – Temperature & Power (VDD) L – Commercial Temp. ( 0°C ~ 85°C) & Low Power Y – Commercial Temp. ( 0°C ~ 85°C) & Low VDD(1.35V)
11. – Скорость - Speed F8 – DDR3-1066 (533MHz @ CL=7, tRCD=7, tRP=7) H9 – DDR3-1333 (667MHz @ CL=9, tRCD=9, tRP=9) K0 – DDR3-1600 (800MHz @ CL=11, tRCD=11, tRP=11) |
М | Х | ХХ | В | ХХ | Х | Х | Х | Х | Х | – | Х | ХХ |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
1. – Модуль памяти – Memory Module – M
2. – DIMM Type 3 – DIMM 4 – SODIMM
3. – Биты Данных - Data Bits 78 – x64 240pin Unbuffered DIMM 91 – x72 240pin ECC unbuffered DIMM 92 – x72 240pin VLP Registered DIMM 93 – x72 240pin Registered DIMM
4. DRAM Component Type В : DDR3 SDRAM (1.5V VDD)
5. - Depth 32 – 32M 33 – 32M (for 128Mb/512Mb) 64 – 64M 65 – 64M (for 128Mb/512Mb) 28 – 128M 29 –128M (for 128Mb/512Mb)
6. # of Banks in comp. & Interface 7 – 8 Banks&SSTL - 1.5V
7. – Битовая организация - Bit Organization 0 – x4 3 – x8 4 – x16
8. - Ревизия - Component Revision M – 1st Gen. В – 3rd Gen. D – 5th Gen. F – 7th Gen. A – 2nd Gen. С – 4th Gen. E – 6th Gen. G – 8th Gen. |
9 – Корпусировка – Package Z – FBGA (без свинца) H – FBGA (без свинца и галогенов) J – FBGA (без свинца, DDP) M – FBGA (без свинца и галогенов, DDP)
10. – Ревизия печатной платы - PCB Revision 0 – None 1 – 1st Rev. 2 – 2nd Rev. 3 – 3rd Rev. 4 – 4th Rev.
11. - Температура и питание - Temp & Power С – Commercial Temp. ( 0°C ~ 85°C) & Normal Power L – Commercial Temp. ( 0°C ~ 85°C) & Low Power Y – Commercial Temp. ( 0°C ~ 85°C) & Low VDD(1.35V)
12. - Скорость - Speed F7 – DDR3-800 (400MHz @ CL=6, tRCD=6, tRP=6) F8 – DDR3-1066 (533MHz @ CL=7, tRCD=7, tRP=7) H9 – DDR3-1333 (667MHz @ CL=9, tRCD=9, tRP=9) K0 – DDR3-1600 (800MHz @ CL=11, tRCD=11, tRP=11)
Примечание:
PC3-6400(DDR3-800), PC3-8500(DDR3-1066), PC3-10600(DDR3-1333), PC3-12800(DDR3-1600) |
- Samsung DDR4 маркировка и полная документация на ОЗУ...
Михаил Дмитриенко, Алма-Ата, 2009